图2.4展示了6晶体管SRAM的一个单元。核心是4个晶体管M1-M4，它们组成两个交叉耦合的反相器。它们有两个稳定的状态，分别代表0和1。只要保持Vdd有电，状态就是稳定的。

当需要访问单元的状态时，升起字访问线WL。BL和BL上就可以读取状态。如果需要覆盖状态，先将BL和BL设置为期望的值，然后升起WL。由于外部的驱动强于内部的4个晶体管，所以旧状态会被覆盖。

更多详情，可以参考[sramwiki]。为了下文的讨论，需要注意以下问题:

一个单元需要6个晶体管。也有采用4个晶体管的SRAM，但有缺陷。

维持状态需要恒定的电源。

升起WL后立即可以读取状态。信号与其它晶体管控制的信号一样，是直角的(快速在两个状态间变化)。

状态稳定，不需要刷新循环。

SRAM也有其它形式，不那么费电，但比较慢。由于我们需要的是快速RAM，因此不在关注范围内。这些较慢的SRAM的主要优点在于接口简单，比动态RAM更容易使用。