动态RAM比静态RAM要简单得多。图2.5展示了一种普通DRAM的结构。它只含有一个晶体管和一个电容器。显然，这种复杂性上的巨大差异意味着功能上的迥异。

动态RAM的状态是保持在电容器C中。晶体管M用来控制访问。如果要读取状态，升起访问线AL，这时，可能会有电流流到数据线DL上，也可能没有，取决于电容器是否有电。如果要写入状态，先设置DL，然后升起AL一段时间，直到电容器充电或放电完毕。

动态RAM的设计有几个复杂的地方。由于读取状态时需要对电容器放电，所以这一过程不能无限重复，不得不在某个点上对它重新充电。

更糟糕的是，为了容纳大量单元(现在一般在单个芯片上容纳10的9次方以上的RAM单元)，电容器的容量必须很小(0.000000000000001法拉以下)。这样，完整充电后大约持有几万个电子。即使电容器的电阻很大(若干兆欧姆)，仍然只需很短的时间就会耗光电荷，称为「泄漏」。

AlfredCheung AlfredCheung 翻译于 2013/02/06 16:46

这种泄露就是现在的大部分DRAM芯片每隔64ms就必须进行一次刷新的原因。在刷新期间，对于该芯片的访问是不可能的，这甚至会造成半数任务的延宕。（相关内容请察看【highperfdram】一章）

这个问题的另一个后果就是无法直接读取芯片单元中的信息，而必须通过信号放大器将0和1两种信号间的电势差增大。

最后一个问题在于电容器的冲放电是需要时间的，这就导致了信号放大器读取的信号并不是典型的矩形信号。所以当放大器输出信号的时候就需要一个小小的延宕，相关公式如下

这就意味着需要一些时间（时间长短取决于电容C和电阻R）来对电容进行冲放电。另一个负面作用是，信号放大器的输出电流不能立即就作为信号载体使用。图2.6显示了冲放电的曲线，x轴表示的是单位时间下的R*C

与静态RAM可以即刻读取数据不同的是，当要读取动态RAM的时候，必须花一点时间来等待电容的冲放电完全。这一点点的时间最终限制了DRAM的速度。

当然了，这种读取方式也是有好处的。最大的好处在于缩小了规模。一个动态RAM的尺寸是小于静态RAM的。这种规模的减小不单单建立在动态RAM的简单结构之上，也是由于减少了静态RAM的各个单元独立的供电部分。以上也同时导致了动态RAM模具的简单化。

综上所述，由于不可思议的成本差异，除了一些特殊的硬件（包括路由器什么的）之外，我们的硬件大多是使用DRAM的。这一点深深的影响了咱们这些程序员，后文将会对此进行讨论。在此之前，我们还是先了解下DRAM的更多细节。